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新太陽電池技術研發成功 未來將不再需要插座充電


新網記者邱榆蕙台北特稿
2011/12/14 下午 08:43:53 / 科技新知

 國家科學委員會今日舉行「智慧型太陽能電池製程科技-具反射鏡與散熱基板之聚光型薄膜III-V族太陽電池之技術研發」記者會,由國內中興大學、成功大學共同研發。

中興大學精密工程研究所教授暨創新產業推廣學院院長洪瑞華說明新太陽電池技術研發成功。(歸鴻亭攝影)
 國科會指出,這次技術研發重點在於如何開發高效率、低製作成本與減少製程中的能源效耗,並配合全球趨勢,節能減碳、降低二氧化碳的排放等方面。

 中興大學精密工程研究所教授暨創新產業推廣學院院長洪瑞華解釋,傳統高效率III-V砷化鎵系列之太陽能電池最大問題為,磊晶用之砷化鎵基板無法製成薄型太陽能電池。

 她說,因為砷化鎵基板至少需要100至150μm厚度,加上易脆、散熱不良與成本過高等因素,無法應用於輕型且可橈之薄膜型太陽能電池。

 洪瑞華比喻,就如同建造大樓,地基成本高的話就會直接影響整棟房子的售價,而砷化鎵基板價格太高才至使傳統太陽能電池只能用於人造衛星、外太空或軍事用途等,無法在民間廣為應用。

洪瑞華(左)與她的研究團隊展示已經可以開始量產的新太陽電池。(歸鴻亭攝影)
 而新研發的太陽電池製程技術,利用可重複使用的基板分離磊昌技術,並用銅基板取代原有之基板,保留原有的高效率,讓基板厚度可控制<50μm,比原本電池更輕薄、散熱佳且成本約可降低50%。

 另外,技術中使用的菲幼爾透鏡具有自清潔功能,比Fresnel透鏡更不易堆積髒污灰塵與劣化。而清潔砷化鎵基板所使用的溶液也是環保可再利用的。

 對於未來展望,她提到目前學校研究是以2吋III-VGaAs太陽能電池為主,如果未來與外界廠商合作,將能應用於4至8吋之電池並增加清洗次數間接讓重複使用率提高,使成本再降低。

 洪瑞華希冀,未來能將具反射鏡與散熱基板之聚光型薄膜III-V族太陽電池之技術研發應用與民間,如手機充電,讓民眾不再需要找插頭充電,在有亮光之場所即可充電。
頻道:資訊科技 分類:科技新知
專題:邱榆蕙 日期:2011/12/14 下午 08:43:53
關鍵字:

留言版

  • 砷化鎵薄膜太陽能
    2011/12/19 下午 05:05:04
    沒有不可能

    div>http://www.moneydj.com/KMDJ/News/NewsViewer.aspx?a=f7910e5e-62a5-430b-9ee6-b9aaf3668526 薄膜太陽能電池雖成本低廉,惟在商業應用方面受制於轉換效率上限,應用多僅限於日照強度高且密集的地區,不過美國科學家已透過砷化鎵(GaAs)材料,研發出最高轉換效率達到28.4%的薄膜太陽能電池,其轉換率不僅優於CIGS(硒化銅銦鎵)薄膜太陽能的14%至19%,更進一步逼近單結(p-n junction)薄膜太陽能電池33.5%的物理極限。
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