國研院成功研發製作3DIC超級晶片技術 效能領先全球

新網記者歸鴻亭台北特稿
2014/1/7 下午 05:24:17 / 科技新知

　國家實驗研究院成功開發新的3DIC技術，成功縮小晶片間的距離，減少耗能，手機待機時間更長，且較不會發熱，技術領先全球。

國家實驗研究院成功開發新的3DIC技術，成果已發表於去年底的「國際電子元件會議」。(歸鴻亭攝影)

　開發新技術的國研院國家奈米元件實驗室前瞻元件組組長謝嘉民表示，多功能、可攜帶的智慧型電子產品，需要高頻寬、低耗能，所以積體電路IC的製作，由平面二維IC衍伸到立體三維IC，藉由IC堆疊，縮短訊號傳輸距離，追求更快的傳輸速度與更低耗能。

　現在製造IC的主流「矽穿孔三維IC技術」，加熱製作第二層IC時，在逾攝氏1,000高溫下，有可能會可能損壞做好的第一層IC，這次開發出的「奈米級雷射局部加熱法」，透過雷射只局部加熱第二層IC，不損及第一層，加上新開發「奈米級超薄高品質矽薄膜技術」，讓IC的堆疊厚度大幅縮小為現有技術50微米的1/150，訊號傳輸速度提升好幾百倍，還可節省下50%耗能。

國研院國家奈米元件實驗室前瞻元件組組長謝嘉民展示3DIC超級晶片。(歸鴻亭攝影)

　謝嘉民說，利用這兩項技術，如同上下101大樓可以有多部電梯同時上下，且每一層樓都可以居住，擺放邏輯線路、快取記憶體、動態記憶體、高頻及數位線路等，提升設計彈性及訊號傳輸速率，並減少耗能。

　國家實驗研究院副院長綦振瀛說，未來將技轉給台積電、旺宏等晶圓廠及穿戴式顯示器廠，估計技轉金約新台幣上億元，是國研院截至目前的最高技轉金額。

　這項領先全球的技術成果已發表於去年底的「國際電子元件會議」，並被選為11篇公開宣傳資料之一，目前正申請美國等5國專利中。